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研究者情報
山口 敦史(ヤマグチ アツシ/YAMAGUCHI ATSUSHI)

所属機関情報
  職名
1 金沢工業大学 工学部 電気系 電気電子工学科 教授
2 研究支援機構 金沢工大附置研究所 光電相互変換デバイスシステム研究開発センター 所長
3 金沢工業大学 大学院工学研究科 電気電子工学専攻 専攻主任

研究分野を表すキーワード
キーワード
半導体レーザsemiconductor laser
窒化物半導体III-nitride
価電子帯valence band
光物性optical properties

現在の専門分野
  専門分野
1 窒化物半導体の光物性。なかでも、GaN基板の精密歪みマッピング特性、非極性InGaN量子井戸構造の偏光特性など。
We study on optical properties of GaN-based material and devices. Especially, high-sensitive mapping measurement of residual strain in GaN substrate, and optical polarization propeties in non-c-oriented InGaN quantum wells are deeply investigated now.

 ・分類: 物性T

研究テーマ
  研究テーマ
1 非極性GaN基板上InGaN量子井戸の偏光特性
Optical polarization properties of nonpolar and semipolar InGaN quantum wells

 ・キーワード: GaN(GaN)、非極性(nonpolar)、偏光(semipolar)、価電子帯(polarization)、(valence band)
 ・分類: 応用物性・結晶工学
 ・研究様態: 選択しない

出身大学院
  大学院等
1 東京大学大学院

 ・ 課程:修士、 研究科:理学系研究科、 専攻:物理学専攻、 修了区分:1988 修了
2 東京大学大学院

 ・ 課程:博士、 研究科:理学系研究科、 専攻:物理学専攻、 修了区分:1991 修了

出身学校
  学校
1 東京大学

 ・ 学部(学系): 教養学部、 学科・専攻:理科I類、 修了区分:1984 その他
2 東京大学

 ・ 学部(学系): 理学部、 学科・専攻:物理学科、 修了区分:1986 卒業

所属学会
  学会
1 応用物理学会( 国内)
2 電子情報通信学会( 国内)
3 日本物理学会( 国内)
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