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研究者情報
上田 修(ウエダ オサム/UEDA OSAMU)

所属機関情報
  職名
1 金沢工業大学 大学院工学研究科 高信頼ものづくり専攻 教授

研究分野を表すキーワード
キーワード
化合物半導体Compound semiconductor
結晶評価Evaluation of crystals
格子欠陥Lattice defect
透過電子顕微鏡Transmission electron microscopy
発光デバイスOptical device
劣化解析Degradation analysis

現在の専門分野
  専門分野
1 化合物半導体中の欠陥および熱的不安定性に関与した構造およびそれらの制御に関する研究
 ・分類: 結晶工学
2 V-X族化合物発光デバイス(半導体レーザ、面型発光レーザ、および発光ダイオード)の劣化機構の解明および劣化抑制方法の提案
 ・分類: 結晶工学
3 ナノレベルの分析評価技術の研究、特に、透過電子顕微鏡を用いた半導体薄膜界面・欠陥のナノレベル分析評価技術に関する研究
 ・分類: 結晶工学

研究テーマ
  研究テーマ
1 次世代発光・電子デバイス向けの化合物半導体薄膜材料(GaN系、InN系窒化物、GaInNAs、GaAsBiなど)の透過電子顕微鏡(TEM)による結晶性・欠陥評価
Evaluation of crystal quality and defects in vairous compond semiconductor thin films (GaN- related materials, GaInNAs, GaAsBi etc.) for next generation optical and electron devices

 ・キーワード: 発光デバイス(optical device)、化合物半導体(compound semiconductor)、透過電子顕微鏡(GaInNAs)、(GaAsBi)、(TEM)
 ・分類: 結晶工学
 ・研究様態: 国内共同研究
2 先端・次世代発光・電子デバイスの劣化メカニズムの解明、および次世代デバイス用材料・構造の信頼度評価
Study on degeradation mechanism of advanced and/or next genaration optical and electron devices, and releiability of materials and structures for next genaration devices

 ・キーワード: 発光デバイス(optical device)、化合物半導体(compound semiconductor)、劣化(degradation)、劣化解析(degaradation analysis)、透過電子顕微鏡(TEM)
 ・分類: 結晶工学
 ・研究様態: 国内共同研究

研究経歴
  研究経歴
1 1974/04 - 1984/08  V−X族混晶半導体中の欠陥の電子顕微鏡による評価およびV−X族発光デバイスの劣化機構に関する研究
2 1984/09 - 1986/03  Si結晶中の熱処理誘起欠陥、バルクGaAs結晶および液相エレクトロエピ結晶中の欠陥に関する研究
3 1986/04 - 1990/12  V−X族混晶半導体ヘテロ構造中の界面および欠陥の高分解能透過電子顕微鏡による評価に関する研究
4 1990/12 - 1993/06  V−X族混晶半導体中の秩序構造の制御とその物性に関する研究および原子層エピタキシャル成長法によるV−X族化合物半導体超格子の高分解能透過電子顕微鏡による構造評価に関する研究
5 1993/06 - 1994/09  CMOS用TiSi2電極の熱的安定性および多層配線の信頼性解析技術に関する研究
6 1994/09 - 1996/03  Si基板上のGaAsエピ層を用いた高出力MESFETの開発およびGaAs基板中のプロセス誘起欠陥に関する研究
7 1996/04 - 1996/12  IaGaP/GaAsヘテロバイポーラトランジスタの劣化機構および同トランジスタを用いたICの高信頼化に関する研究
8 1996/12 - 1999/03  磁性薄膜の界面、微細構造の透過電子顕微鏡による評価およびその熱的安定性、磁気特性との相関に関する研究、およびLSIおよび化合物半導体デバイスの劣化機構に関する研究
9 1999/04 - 2003/03  ULSI、光・電子デバイスおよび磁気デバイスに不可欠なナノレベルの分析・評価技術の開発およびそれらのデバイスの評価への応用に関する研究
10 2003/04 - 2004/03  新しい環境材料技術の開発と情報機器への適用,環境負荷評価技術の開発と製品のエコデザインへの寄与、およびRoHS指令に向けた有害物質全廃のための分析・代替技術の開発と製品への適用に関する研究
11 2004/04 - 2005/12  RoHS指令に向けた有害物質全廃のための分析・代替技術の開発と製品への適用に関する研究および光・電子デバイスの信頼性評価および高信頼化に関する研究
12 2005/12 -   次世代発光デバイスの信頼性の研究:材料解析と素子劣化メカニズム解明

研究職歴
  研究職歴
所属 部署 職位・身分
1 1974/04 - 1987/11  株式会社富士通研究所入社、半導体材料研究部第二研究室研究員    
2 1987/12 - 1990/11  同社半導体結晶研究部主任研究員    
3 1990/12 - 1992/06  同社半導体結晶研究部第二研究室長    
4 1992/06 - 1993/06  同社半導体結晶研究部第一研究室長    
5 1993/06 - 1994/09  同社ULSI結晶研究部主任研究員    
6 1994/09 - 1996/03  化合物LSI研究部主任研究員    
7 1996/04 - 1996/12  同社基盤技術研究所主管研究員    
8 1996/12 - 1999/03  同社材料技術研究所主管研究員    
9 1999/04 - 2003/03  同社材料技術研究所ナノ電子材料研究部長    
10 2003/04 - 2004/03  同社材料・環境技術研究所環境材料ステーション長    
11 2004/04 - 2005/03  同社材料・環境技術研究所主席研究員    
12 2005/04 - 2005/12  同社基盤技術研究所主席研究員    
13 2005/12 - 2007/03  金沢工業大学大学院工学研究科 教授 兼ものづくり研究所東京分室長    
14 2007/04 -   金沢工業大学大学院工学研究科高信頼ものづくり専攻 教授 兼ものづくり研究所東京分室長    

出身学校
  学校
1 東京大学

 ・ 学部(学系): 工学部、 学科・専攻:物理工学科、 修了区分:1974 卒業

取得学位
  学位
1 工学博士
Dr. of Engineering
 ・取得方法:論文、 取得大学: 東京大学、 分野:応用物性・結晶工学

所属学会
  学会
1 応用物理学会
Japan Sosiety of Applied Physics( 国内)
2 日本顕微鏡学会
Japan Society of Microscopy( 国内)
3
Materials Research Society( 国外)
4
The Electrochemical Society( 国外)
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